吴晓虹
【姓名】 吴晓虹
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 无线电电子学;石油天然气工业;宏观经济管理与可持续发展;
【研究方向】 流量计量质量管理
【发表文献关键词】 扩展电阻探针,扩展电阻,器件工艺,电阻率,材料测试,扩展电阻技术,硅基材料,硅,SOI,失效分析,外延层,热施主,埋入SiO_2,绝缘体上单晶硅膜,智能剥离,磷扩散,外延片,顶层硅,深度分布,结深,掺...
【工作单位】 上海市计量测试技术研究院
【曾工作单位】 上海市计量测试技术研究院;
【所在地域】 上海
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[3]邹子英;吴晓虹;.失效器件分析[J]半导体技术.2009,(10)
[4]吴晓虹;朱丽娜;闵靖;.半导体放电管和扩展电阻技术在放电管开发中的应用[J]集成电路应用.2003,(10)
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[7]闵靖,邹子英,吴晓虹.表征硅片中氧的深度分布的间接测试方法[J]上海计量测试.2000,(05)
[8]吴晓虹,闵靖.研磨倾斜角度对扩展电阻测试量值的影响[J]功能材料与器件学报.2001,(01)
[9]吴晓虹,闵靖.扩展电阻探针在材料测试和器件工艺中的应用[J]上海计量测试.1999,(05)
[10]吴晓虹,闵靖.扩展电阻探针在器件开发和失效分析中的应用[J]上海计量测试.1999,(06)
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[1]邹子英;闵靖;郭瑾;吴晓虹;谢江华;宗龙章;叶祖超;.重掺砷硅片的质量监控及其应用[A].中国分析测试协会科学技术奖发展回顾.2015-07-01
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