|
[1]邵传芬,朱美华,史常忻.GaAs微条粒子探测器的辐照特性[J]半导体学报.2003,(02)
|
|
[2]邵传芬,史常忻,凌行,温伯莹.GaAs微条粒子探测器的设计[J]固体电子学研究与进展.2004,(01)
|
|
[3]邵传芬,史常忻.双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性[J]半导体学报.2000,(08)
|
|
[4]邵传芬,史常忻,陈宏芳,李澄.GaAs粒子探测器的能谱特性[J]固体电子学研究与进展.2000,(02)
|
|
[5]李澄,陈宏芳,吴冲,张永明,许咨宗,乐毅,邵传芬,史常忻.MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能[J]高能物理与核物理.2000,(05)
|
|
[6]史常忻,K.Heime.BRAQWET能带结构和优化设计参量[J]固体电子学研究与进展.2002,(01)
|
|
[7]朱红卫,史常忻,陈益新,李同宁.低暗电流InGaAs金属－半导体－金属光电探测器[J]半导体光电.1996,(03)
|
|
[8]邵传芬，史常忻，徐秀琴.双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究[J]固体电子学研究与进展.1996,(01)
|
|
[9]朱红卫,史常忻,陈益新,李同宁.极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究[J]半导体学报.1997,(01)
|
|
[10]史常忻,朱红卫.MSM光电探测器[J]中国科学基金.1997,(02)
|
|
更多
|