马德录
【姓名】 马德录
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;数学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 扩展电阻,注入硅,原子碰撞,X射线衍射研究,衍射动力学,晶格应变,离子注入,固体,退火温度,应变函数,晶格畸变,离子注,折射率谱,X射线,摇摆曲线,损伤度,最大应变,双晶衍射,点缺陷,注入深度,不同剂...
【工作单位】 辽宁大学
【曾工作单位】 辽宁大学;
【所在地域】 沈阳
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[1]韩宇,肖鸿飞,高雅君,马德录.As~+/N_2~+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布[J]半导体学报.2004,(04)
[2]高雅君,刘宏俊,韩宇,马德录.椭圆偏振光研究O_2~+注入Si的退火特性[J]辽宁大学学报(自然科学版).2001,(04)
[3]马德录,韩宇,牟晓兰.As~+注入Si中的晶格应变(英文)[J]辽宁大学学报(自然科学版).1999,(03)
[4]马德录,韩宇.双束注入的晶格应变[J]辽宁大学学报(自然科学版).1999,(04)
[5]马德录，李晓舟，毛晓峰，高雅君.X射线衍射动力学理论研究As~＋注入Si[J]半导体学报.1996,(11)
[6]马德录,韩宇,高雅君,李淑凤,郭继红.C~+注入Si的晶格畸变[J]辽宁大学学报(自然科学版).1997,(02)
[7]马德录，韩宇.O_2~+注入Si的折射率谱和弛豫时间[J]半导体情报.1998,(01)
[8]马德录,李淑侠,蔡方,韩宇,高雅君,关建新.B~+注入Si的辐射损伤和退火特性[J]辽宁大学学报(自然科学版).1998,(03)
[9]马德录;.离子注入杂质分布[J]辽宁大学学报(自然科学版).1978,(01)
[10]马德录;.等离子体腐蚀特性[J]辽宁大学学报(自然科学版).1979,(01)
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