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顾美渔
【姓名】
顾美渔
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】
MOS结构,质子辐照,HCl氧化,界面陷阱,质子辐照效应,氧化层陷阱,陷饼,氧化层,辐射效应,能级密度,电压漂移,铝栅,禁带,微分电容,新生,辐照后,总剂量,MOS集成电路,悬挂键,同能量,过程模型,...
【工作单位】
上海科技大学
【曾工作单位】
上海科技大学;
【所在地域】
上海
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共找到2篇
[1]顾美渔,邢强华,王传珊,周树鑫.
MOS结构的质子辐照效应
[J]辐射研究与辐射工艺学报.1992,(04)
[2]顾美渔,周树鑫.
HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应
[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
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