程东方
【姓名】 程东方
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;仪器仪表工业;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 重触发,面光,光谱响应特性,增强退火,p-n结,晶闸管,台面,双离子注入,电荷积累检测,表面复合速度,光阈值,光控晶闸管,台面结构,光电开关,结深,掺杂分布,短基,非均匀掺杂,双注入,高耐压,光电二极...
【工作单位】 上海科技大学
【曾工作单位】 上海科技大学;
【所在地域】 上海
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[1]程东方,赵国柱,蔡仁康,顾敏,王良.MOS 光 电 开 关 集 成 电 路[J]应用科学学报.1994,(02)
[2]倪锦发,程东方,徐志平,陈佩珍,高梅娣.关于V形槽的刻蚀技术和VVMOS晶体管的“栅穿”控制[J]半导体技术.1982,(04)
[3]程东方,吴丁祥,朱锦良,蔡仁康,林庆华,李欣年.p-n结光谱响应特性分析[J]传感器技术.1987,(Z1)
[4]李欣年,朱锦良,蔡仁康,程东方.光谱修正技术的计算机化[J]传感器技术.1987,(Z1)
[5]吴鼎祥,程东方.双重触发平面光控晶闸管的研制[J]传感器技术.1987,(Z1)
[6]朱锦良,程东方,王良,蔡仁康.双离子注入增强退火效应的研究[J]应用科学学报.1989,(01)
[7]赵国柱,程东方,蔡仁康.光阈值可调光电开关集成电路的研制[J]半导体技术.1992,(04)
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