赵冷柱
【姓名】 赵冷柱
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 DLTS,反型层,复值,尾区,2DEG,MOSFET,亚阈值区,定域态,载流子,HEMT,二维电子,信号分析,MODFET,扩展态,沟道,输运,中电子,二维电子气,电子迁移率,器件参数,界面态,态密度...
【工作单位】 上海科技大学
【曾工作单位】 上海科技大学;
【所在地域】
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/10 1 0 6 1 541
中国期刊全文数据库    共找到10篇
[1]赵冷柱,沈火根,甘蓓.MOS界面态参数测量的复电容方法[J]半导体技术.1985,(06)
[2]吴克勤,金同发,赵冷柱.亚阈值区MOSFET沟道中电子输运[J]固体电子学研究与进展.1986,(04)
[3]赵冷柱,吴克勤.两种载流子发射的CC—DLTS信号分析及其应用[J]应用科学学报.1986,(04)
[4]赵冷柱.MOSFET反型层二维电子(2DEG)带尾区域的复值电容[J]半导体学报.1986,(01)
[5]赵冷柱.E/D型集成电路中MODFET模型[J]固体电子学研究与进展.1987,(01)
[6]赵冷柱.量子化极限情况下MOS反型层二维电子气定域态电子电导率σ_(xx)的低频效应[J]物理学报.1987,(04)
[7]赵冷柱.HEMT电子迁移率与器件参数关系[J]半导体学报.1987,(03)
[8]李丹之,赵冷柱.横向光电效应(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
[9]李丹之,赵冷柱,劳凤英.等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究[J]应用科学学报.1990,(03)
[10]何素冰,赵冷柱.超晶格中浅杂质能带与光吸收[J]固体电子学研究与进展.1992,(02)
更多