徐志平
【姓名】 徐志平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 负阻,p-n结,击穿特性,圆角,双极晶体管,击穿电压,晶体管,MOS晶体管,维数,源电极,击穿点,电势,圆对称性,寄生,功率晶体管,漏结,击穿效应,二次击穿,差分表达式,磷扩散,光刻图形,穿模,击穿电...
【工作单位】 上海科技大学
【曾工作单位】 上海科技大学;
【所在地域】
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[1]倪锦发,程东方,徐志平,陈佩珍,高梅娣.关于V形槽的刻蚀技术和VVMOS晶体管的“栅穿”控制[J]半导体技术.1982,(04)
[2]季超仁,徐志平,赵国柱.VVMOS功率晶体管的负阻击穿[J]电子学通讯.1982,(06)
[3]徐志平,季超仁.用二维数值计算得到三维p-n结击穿特性的方法[J]固体电子学研究与进展.1986,(04)
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