王文骐
【姓名】 王文骐
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 双栅,体效应振荡器,GaAs,线长度,MESFET,场效应晶体管,反射型,最佳耦合,低噪声,第二栅,FET放大器,稳频,离子注入,微波参数,频带,肖特基势垒栅场效应晶体管,冶金研究,稳定振荡,小型,智...
【工作单位】 上海科技大学
【曾工作单位】 上海科技大学;
【所在地域】
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[1]王文骐,夏冠群,陆祝平.频带反射型腔稳体效应振荡器的最佳耦合线长度[J]电子学报.1982,(06)
[2]王渭源,夏冠群,卢建国,詹千宝,杨新民,王文骐.UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管[J]半导体学报.1982,(06)
[3]王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐.硅全离子注入的GaAs双栅MESFET[J]应用科学学报.1983,(04)
[4]王文骐,杨新民,陆祝平,朱文玉.小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能[J]电子科学学刊.1985,(05)
[5]杨新民,王渭源,王文骐.砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究[J]应用科学学报.1985,(02)
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