赵守臣
【姓名】 赵守臣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业经济;企业经济;
【研究方向】
【发表文献关键词】 热载流子,静电释放,沟道,深亚微米,ESD保护,互作用,漏结,栅氧化层,MOS器件,器件寿命,退化效应,可靠性问题,幸运载流子,接地栅,突变结,陷阱电荷,衬底电流,陷阱效应,IEEE,失效阈值,
【工作单位】 上海交通大学
【曾工作单位】 上海交通大学;
【所在地域】 上海
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[1]施周渊,赵守臣,汤玉生.在深亚微米MOS技术中HC退化与ESD的相互作用[J]压电与声光.2004,(05)
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[1]赵守臣.WX半导体公司发展战略研究[D].上海交通大学.2010
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