张家坚
【姓名】 张家坚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 IC工艺,漏电流,控制参数,特性关系,层错,VLSI,吸杂,堆垛,氧化层,少子产生寿命,电阻率,电学特性,集成度,微缺陷,诱生,击穿电压,电压漂移,工艺控制参数,栅氧化层,IC技术,
【工作单位】 上海测试技术研究院
【曾工作单位】 上海测试技术研究院;
【所在地域】
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[1]张家坚;王俊杰;李学博;严诗蕴;张永达;.对“OS”法检测<111>硅单晶中旋涡缺陷的进一步探讨[J]上海金属.有色分册.1982,(01)
[2]张家坚.IC工艺控制参数及其与硅片特性关系[J]稀有金属.1992,(05)
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