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中国期刊全文数据库 共找到67篇

[1]盛江坤;许鹏;邱孟通;丁李利;罗尹虹;姚志斌;张凤祁;缑石龙;王祖军;.重离子辐照引发的25nm NAND Flash存储器数据位翻转[J]原子能科学技术.2023,(12)

[2]贺朝会;陈伟;韩建伟;刘曦;李宁;陈睿;罗尹虹;姚志斌;李培;丁李利;吴道伟;.新型微系统的辐射效应与抗辐射加固技术[J]中国科学:物理学力学天文学.2024,(03)

[3]丁李利;陈伟;郭晓强;张凤祁;姚志斌;吴伟;.系统级单粒子效应试验方法研究[J]集成电路与嵌入式系统.2024,(03)

[4]薛院院;王祖军;陈伟;郭晓强;姚志斌;何宝平;聂栩;赖善坤;黄港;盛江坤;马武英;缑石龙;.Analysis of displacement damage effects on the charge-coupled device induced by neutrons at Back-n in the China Spallation Neutron Source[J]Chinese Physics B.2023,(07)

[5]刘岩;陈伟;王忠明;王茂成;王迪;刘卧龙;王百川;杨业;姚志斌;郭晓强;王晨辉;白小燕;.横向PNP晶体管质子辐照损伤的缺陷间能级耦合机制[J]现代应用物理.2022,(01)

[6]缑石龙;马武英;姚志斌;何宝平;盛江坤;王祖军;薛院院;.基于电荷泵技术的栅控横向晶体管在氢氛围中的辐照损伤增强机制[J]现代应用物理.2022,(01)

[7]何宝平;马武英;王祖军;姚志斌;缑石龙;.40 nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析[J]现代应用物理.2022,(01)

[8]马武英;张鹏飞;陈伟;姚志斌;丛培天;何宝平;董观涛;.基于10 keV X射线的总剂量效应实验技术实现与应用[J]现代应用物理.2022,(01)

[9]马武英;缑石龙;郭红霞;姚志斌;何宝平;王祖军;盛江坤;.H_2和H_2O对双极器件抗辐射性能的影响规律和机制[J]太赫兹科学与电子信息学报.2022,(09)

[10]缑石龙;马武英;姚志斌;何宝平;盛江坤;薛院院;潘琛;.基于栅控横向PNP双极晶体管的氢氛围中辐照损伤机制[J]物理学报.2021,(15)

中国重要会议全文数据库 共找到13篇

[1]王祖军;薛院院;贾同轩;杨勰;何宝平;马武英;姚志斌;盛江坤;缑石龙;.不同剂量率伽马射线辐照PPD CMOS图像传感器的瞬态效应实验研究[A].中国核科学技术进展报告（第七卷）——中国核学会2021年学术年会论文集第6册（计算物理分卷、核物理分卷、核聚变与等离子体物理分卷、辐射物理分卷、核工程力学分卷）.2021-10-19

[2]马武英;姚志斌;何宝平;陈伟;王祖军;缑石龙;薛院院;董观涛;.40纳米NMOS场效应晶体管的总剂量效应与热载流子耦合机制研究[A].中国核科学技术进展报告（第七卷）——中国核学会2021年学术年会论文集第6册（计算物理分卷、核物理分卷、核聚变与等离子体物理分卷、辐射物理分卷、核工程力学分卷）.2021-10-19

[3]王祖军;薛院院;陈伟;宁浩;徐瑞;郭晓强;姚志斌;马武英;何宝平;董观涛;.中国散裂中子源白光中子辐照诱发CIS单粒子瞬态响应和位移损伤的实验研究[A].中国核科学技术进展报告（第六卷）——中国核学会2019年学术年会论文集第7册（计算物理分卷、核物理分卷、粒子加速器分卷、核聚变与等离子体物理分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、辐射物理分卷、核工程力学分卷、核测试与分析分卷）.2019-08-20

[4]薛院院;王祖军;刘静;何宝平;唐本奇;姚志斌;刘敏波;盛江坤;马武英;董观涛;.星用CMOS图像传感器在轨质子辐照损伤蒙特卡罗模拟研究[A].2016第八届全国计算物理会议报告文集.2016-10-31

[5]王祖军;薛院院;马武英;何宝平;姚志斌;盛江坤;董观涛;.电离总剂量效应诱发PPD CMOS图像传感器性能退化的实验研究[A].中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第6册（核化工分卷、核化学与放射化学分卷、辐射物理分卷）.2017-10-16

[6]刘敏波;姚志斌;黄绍艳;何宝平;盛江坤;.Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响[A].北京核学会第十届（2014年）核应用技术学术交流会论文集.2014-11-27

[7]刘敏波;陈伟;姚志斌;何宝平;黄绍艳;盛江坤;肖志刚;王祖军;.典型双极器件低剂量率辐射损伤增强效应实验研究[A].中国核科学技术进展报告（第三卷）——中国核学会2013年学术年会论文集第8册（辐射研究与应用分卷、同位素分卷、核农学分卷、辐射物理分卷）.2013-09-11

[8]盛江坤;邱孟通;姚志斌;何宝平;黄绍艳;刘敏波;肖志刚;王祖军;.NAND Flash存储器总剂量效应测试技术研究[A].中国核科学技术进展报告（第三卷）——中国核学会2013年学术年会论文集第8册（辐射研究与应用分卷、同位素分卷、核农学分卷、辐射物理分卷）.2013-09-11

[9]韩军;谢彦召;翟爱斌;姚志斌;.SRAM的电磁脉冲效应实验研究[A].第七届全国核仪器及其应用学术会议暨全国第五届核反应堆用核仪器学术会议论文集.2009-07-20

[10]王忠明;姚志斌;郭红霞;吕敏;.SRAM型FPGA单粒子故障注入方法的加速器试验验证[A].第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会论文集.2010-11-01

【姓名】	姚志斌
【职称】	助理研究员;
【研究领域】	无线电电子学;计算机硬件技术;物理学;
【研究方向】	辐照效应方面的研究工作
【发表文献关键词】	单粒子翻转,敏感区域,重离子微束,总剂量效应,脉冲总剂量,测试系统,CMOS,低剂量率,大规模集成电路,失效时间,阈值电压漂移,存储单元,栅偏压,氧化物陷阱电荷,漏电流,低剂量率效应,预估方法,总剂量...
【工作单位】	陕西省西北核技术研究所
【曾工作单位】	陕西省西北核技术研究所;
【所在地域】	西安

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