徐娜军
【姓名】 徐娜军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅栅,界面态,低剂量率,低温,电压漂移,辐照效应,阈值电压漂移,MOS器件,BF_2~+注入,原子,γ辐照,氧化物陷阱电荷,辐照,PMOSFET,注入剂量,金属-氧化物-半导体器件,总剂量,阈值,多晶...
【工作单位】 陕西省西北核技术研究所
【曾工作单位】 陕西省西北核技术研究所;
【所在地域】 陕西西安
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[1]张廷庆,刘传洋,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟.低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应[J]物理学报.2001,(12)
[2]刘传洋,张廷庆,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟,王宝成.低剂量率下MOS器件的辐照效应[J]微电子学.2002,(01)
[3]张廷庆,刘家璐,李建军,王剑屏,张正选,徐娜军,赵元富,胡浴红.BF_2~+注入加固硅栅PMOSFET的研究[J]物理学报.1999,(12)
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