金能韫
【姓名】 金能韫
【职称】
【研究领域】 金属学及金属工艺;材料科学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 退火,电阻率,砷化镓,位错,晶片均匀性,热退火,GaAs半导体,位错密度,晶片,电阻率分布,GaAs,未退火,均匀性,GaAs材料,三电极法,点缺陷,位错分布,缺陷组态,电阻率下降,GaAs晶体,
【工作单位】 上海交通大学
【曾工作单位】 上海交通大学;
【所在地域】 上海
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中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]金能韫;.循环形变〔245〕铜晶体的位错结构[J]电子显微学报.1984,(04)
[2]金能韫.金属疲劳微观机理的研究[J]自然杂志.1986,(01)
[3]仲崇华;金能韫;陈贤芬;周新;.循环饱和AiSi310钢位错组态及与晶粒受载方向的关系[J]电子显微学报.1988,(03)
[4]金能韫;.面心立方晶体的循环形变及其位错反应模型 Ⅰ Cu晶体的循环形变[J]金属学报.1988,(05)
[5]金能韫;.面心立方晶体的循环形变及其位错反应模型 Ⅱ 循环形变的位错反应模型[J]金属学报.1988,(05)
[6]孙良泉,金能韫,史常忻.热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响[J]固体电子学研究与进展.1992,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]金能韫;.循环形变〔245〕铜晶体的位错结构[A].第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）.1983-06-30
[2]仲崇华;金能韫;陈贤芬;周新;.循环饱和AiSi310钢位错组态及与晶粒受载方向的关系[A].第五次全国电子显微学会议论文摘要集.1988-10-01
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