何贤昶
【姓名】 何贤昶
【职称】 教授;
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硼,注入,金刚石,共掺杂,分子动力学模拟,分子动力学,金刚石薄膜,离子注入,粒子轰击,表面重构,掺杂,多普勒增宽谱,硼原子,金属薄膜,正电子,微波等离子体,化学气相沉积,快速热处理,微波加热,固相反应...
【工作单位】 上海交通大学
【曾工作单位】 上海交通大学;
【所在地域】 上海
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[2]李荣斌,戴永兵,胡晓君,沈荷生,何贤昶.硼注入金刚石的分子动力学模拟[J]上海交通大学学报.2003,(10)
[3]李荣斌,戴永兵,胡晓君,沈荷生,何贤昶.低能粒子轰击(001)2×1表面重构金刚石的计算机模拟[J]上海交通大学学报.2003,(12)
[4]李荣斌,戴永兵,胡晓君,沈荷生,何贤昶.能量粒子轰击金刚石的计算机模拟[J]物理学报.2003,(12)
[5]李荣斌,戴永兵,胡晓君,沈荷生,何贤昶.硼注入金刚石的分子动力学模拟[J]上海交通大学学报.2003,(09)
[6]李荣斌,胡晓君,沈荷生,何贤昶.硼硫共掺杂金刚石薄膜的研究[J]功能材料.2004,(01)
[7]胡晓君,李荣斌,沈荷生,何贤昶,邓文,罗里熊.掺杂金刚石薄膜的缺陷研究[J]物理学报.2004,(06)
[8]欧阳斯可,汪涛,戴永兵,沈荷生,吴建生,何贤昶.微波等离子加热实现金属薄膜固相反应[J]新技术新工艺.2004,(06)
[9]胡晓君,李荣斌,沈荷生,戴永兵,何贤昶.低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备[J]半导体学报.2004,(08)
[10]欧阳斯可,汪涛,戴永兵,吴建生,何贤昶,沈荷生.微波等离子体退火制备CoSi_2薄膜[J]半导体学报.2004,(08)
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[1]黄钢;何贤昶;张志明;万永中;戴永兵;沈荷生;.上置偏压热丝CVD制备纳米金刚石涂层[A].2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集.2001-05-01
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