赵喆
【姓名】 赵喆
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光电化学,化合物半导体,掺Zn的GaAs,砷化镓气相外延,砷化镓光阴极材料,气相外延,新进展,半导体光电化学,GaAs,砷化镓,器件工艺,光材料,掺C,载流子浓度,少子扩散长度,平带电势,肖特基势垒,...
【工作单位】 上海工程技术大学
【曾工作单位】 上海工程技术大学;
【所在地域】 上海
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[1]赵喆;沈宝良;.化学腐蚀法显示InP单晶和外延层中的缺陷[J]中国腐蚀与防护学报.1987,(04)
[2]王周成,彭瑞伍,赵喆.化合物半导体光电化学新进展[J]固体电子学研究与进展.1988,(02)
[3]彭瑞伍,徐晨梅,励翠云,张霞芳,赵喆.砷化镓气相外延中Zn的行为和微光材料的制备[J]电子科学学刊.1990,(03)
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