杨子强
【姓名】 杨子强
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 正电子寿命,非晶硅,硅薄膜,四空,正电子,微空洞,非晶,悬挂键,氧掺杂,单空位,双空位,三空位,正电子偶素,电子密度,正电子寿命谱,氧原子,氧量,陕西师范大学,寿命,掺入,
【工作单位】 陕西师范大学
【曾工作单位】 陕西师范大学;
【所在地域】 西安
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[1]史志强,刘克源,王学恩,刘兴胜,杨子强.掺氧非晶硅的正电子寿命研究[J]半导体学报.1997,(11)
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