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[1]何宝平,王桂珍,周辉,龚建成,罗尹虹,姜景和.NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估[J]物理学报.2003,(01)
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[2]何宝平,龚建成,王桂珍,罗尹虹,姜景和.CMOS器件的等时、等温退火效应[J]半导体学报.2004,(03)
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[3]王桂珍,何宝平,姜景和,张正选,罗尹虹.MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究[J]微电子学.2004,(05)
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[4]姚育娟,张正选,姜景和,何宝平,罗尹虹.MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火[J]半导体学报.2000,(04)
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[5]吴国荣,张正选,罗尹虹,郭红霞,周辉,姜景和.~(90)Sr-~(90)Y源半导体器件辐照效应在线测量系统[J]核电子学与探测技术.2000,(03)
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[6]何宝平,姚育娟,彭宏论,张正选,姜景和.温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响[J]微电子学.2000,(03)
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[7]王桂珍,姜景和,彭宏论,常东梅,郭红霞,杨海帆.双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究[J]微电子学.2000,(04)
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[8]何宝平,张正选,姜景和,王永强.星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究[J]微电子学与计算机.2000,(02)
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[9]何宝平,张正选,郭红霞,姜景和.星用典型CMOS器件54HC04~(60)Co源辐射效应研究[J]原子能科学技术.2000,(04)
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[10]张正选,罗晋生,袁仁峰,张廷庆,姜景和.BF_2~+注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量[J]原子能科学技术.2000,(04)
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