罗尹红
【姓名】 罗尹红
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 质子,总剂量效应,Faraday筒,阈值电压,漏电流,MOS器件,界面态,NMOS,总剂量,电压漂移,PMOS,质子辐照,加固型,辐照偏置,辐照,Threshold,非加固,辐照偏压,质子辐射,阈值,
【工作单位】 陕西省西北核技术研究所
【曾工作单位】 陕西省西北核技术研究所;
【所在地域】 西安
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[1]王桂珍,张正选,姜景和,罗尹红,彭宏论,何宝平.MOS器件的质子总剂量效应[J]半导体学报.2001,(11)
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