段静芳
【姓名】 段静芳
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;材料科学;
【研究方向】 磁记录薄膜材料
【发表文献关键词】 AlN压电薄膜,结构,TbCo薄膜,制备,应用,织构,氮化铝薄膜,极图,AlN薄膜,退火,极图法,SmCo,Cr薄膜,铝薄膜,SmCo/Cr薄膜,铬底层,矫顽力,溅射参数,底层,晶面取向,氮化,磁学性...
【工作单位】 山西师范大学
【曾工作单位】 山西师范大学;
【所在地域】 山西临汾
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[1]许小红,李佐宜,段静芳,晋芳,黄致新,林更其.退火对TbCo薄膜结构和磁性能的影响(英文)[J]稀有金属材料与工程.2003,(05)
[2]许小红,武海顺,马文瑾,段静芳,李佐宜.氮化铝薄膜织构的极图法研究[J]无机材料学报.2003,(02)
[3]段静芳,许小红,武海顺,李佐宜.溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响[J]稀有金属.2003,(05)
[4]许小红,段静芳,王芳,武海顺,李震,李佐宜.SmCo/Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究[J]稀有金属材料与工程.2004,(10)
[5]许小红,段静芳,杨治广,武海顺.Co1_(-x)Pt_x薄膜的结构与磁学性能[J]稀有金属材料与工程.2005,(09)
[6]许小红,段静芳,武海顺.Cr底层中添加Ti对SmCo薄膜磁学性能的影响[J]稀有金属材料与工程.2005,(03)
[7]许小红,武海顺,张富强,段静芳,李佐宜.AlN压电薄膜材料研究进展[J]稀有金属材料与工程.2002,(06)
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