何建廷
【姓名】 何建廷
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 宽禁带半导体材料
【发表文献关键词】 GaN纳米线,自组装反应,粗晶体,磁控,ZnO薄膜,溅射,射频磁控,PLD法,纤锌矿结构,氨化,晶体,氮化镓,发光器件,电子器件,光探测器,光电器件,半导体技术,纳米,颗粒薄膜,磁控溅射,光致发光,氮...
【工作单位】 山东师范大学
【曾工作单位】 山东师范大学;
【所在地域】 济南
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[1]何建廷;庄惠照;薛成山;田德恒;吴玉新;赵婧;刘亦安;薛守斌;胡丽君;.脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展[J]电子元件与材料.2006,(05)
[2]何建廷;庄惠照;薛成山;田德恒;吴玉新;刘亦安;胡丽君;薛守斌;.脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性(英文)[J]功能材料.2006,(06)
[3]庄惠照;何建廷;薛成山;张晓凯;田德恒;胡丽君;薛守斌;.衬底温度对PLD方法生长Si(111)基ZnO薄膜结晶质量和发光特性的影响[J]稀有金属材料与工程.2006,(07)
[4]刘亦安;薛成山;庄惠照;何建廷;吴玉新;田德恒;孙莉莉;艾玉杰;王福学;.高温氨化合成GaN微晶[J]微细加工技术.2006,(02)
[5]吴玉新;薛成山;庄惠照;田德恒;刘亦安;何建廷;.电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析[J]功能材料.2006,(09)
[6]薛成山;吴玉新;庄惠照;田德恒;刘亦安;何建廷;艾玉杰;孙莉莉;王福学;.氨化Si基Ga_2O_3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性[J]科学通报.2006,(13)
[7]庄惠照;高海永;薛成山;王书运;何建廷;董志华;.氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管[J]材料科学与工艺.2007,(01)
[8]吴玉新;薛成山;庄惠照;田德恒;刘亦安;何建廷;艾玉杰;孙莉莉;王福学;.退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响[J]固体电子学研究与进展.2007,(04)
[9]高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,何建廷.竹叶状GaN纳米带的制备[J]电子元件与材料.2004,(09)
[10]董志华,薛成山,庄惠照,王书运,高海永,田德恒,吴玉新,何建廷,刘亦安.合成GaN粗晶体棒的研究[J]微纳电子技术.2005,(03)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]何建廷.脉冲激光沉积法生长硅基ZnO及特性研究[D].山东师范大学.2006
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[1]薛成山;董志华;庄惠照;王书运;高海勇;田德恒;吴玉新;刘亦安;何建廷;.以Ga_2O_3自组装反应合成单晶体GaN纳米线[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
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