吴玉新
【姓名】 吴玉新
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 宽禁带半导体材料和器件
【发表文献关键词】 GaN纳米线,自组装反应,粗晶体,磁控,溅射,射频磁控,氮化镓,发光器件,电子器件,光探测器,氨化,晶体,光电器件,磁控溅射,GaN晶粒,氮化镓纳米线,光致发光,氨化反应,Ga源温度,合成条件,纳米,...
【工作单位】 山东师范大学
【曾工作单位】 山东师范大学;
【所在地域】 济南
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[1]薛成山;董志华;庄惠照;王书运;高海永;田德恒;吴玉新;.以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜[J]稀有金属材料与工程.2006,(03)
[2]何建廷;庄惠照;薛成山;田德恒;吴玉新;赵婧;刘亦安;薛守斌;胡丽君;.脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展[J]电子元件与材料.2006,(05)
[3]何建廷;庄惠照;薛成山;田德恒;吴玉新;刘亦安;胡丽君;薛守斌;.脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性(英文)[J]功能材料.2006,(06)
[4]刘亦安;薛成山;庄惠照;何建廷;吴玉新;田德恒;孙莉莉;艾玉杰;王福学;.高温氨化合成GaN微晶[J]微细加工技术.2006,(02)
[5]吴玉新;薛成山;庄惠照;田德恒;刘亦安;何建廷;.电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析[J]功能材料.2006,(09)
[6]薛成山;吴玉新;庄惠照;田德恒;刘亦安;何建廷;艾玉杰;孙莉莉;王福学;.氨化Si基Ga_2O_3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性[J]科学通报.2006,(13)
[7]吴玉新;薛成山;庄惠照;田德恒;刘亦安;孙莉莉;王福学;艾玉杰;.氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒[J]稀有金属材料与工程.2006,(S2)
[8]刘亦安;薛成山;庄惠照;张晓凯;田德恒;吴玉新;孙莉莉;艾玉杰;王福学;.溶胶-凝胶法制备GaN颗粒[J]稀有金属材料与工程.2006,(S2)
[9]董志华,薛成山,庄惠照,王书运,高海永,田德恒,吴玉新,何建廷,刘亦安.合成GaN粗晶体棒的研究[J]微纳电子技术.2005,(03)
[10]刘亦安,薛成山,庄惠照,吴玉新,田德恒,何建廷.GaN基短波光电器件的研究进展[J]微纳电子技术.2005,(08)
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[1]薛成山;董志华;庄惠照;王书运;高海勇;田德恒;吴玉新;刘亦安;何建廷;.以Ga_2O_3自组装反应合成单晶体GaN纳米线[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
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