夏日源
【姓名】 夏日源
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 离子注入,表面富集,投影射程,硅和铝,分布矩,射程分布,重离子,退火过程,表面扩散,Si_3N_4,经验公式,实验值,能谱,电子阻止截面,未退火,杂质,位错,深度分辨率,外扩散,合金,底表面,散射函数...
【工作单位】 山东大学
【曾工作单位】 山东大学;
【所在地域】 山东威海
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[1]夏日源.高剂量离子注入形成的非晶层重新结晶过程中杂质外扩散的物理模型[J]物理学报.1980,(05)
[2]夏日源.铯在单晶和多晶铝中的扩散和释放现象[J]物理.1981,(01)
[3]赵玉华,郑胜男,许国基,徐永昌,夏日源,谭春雨,刘清前.用背散射测定惰性气体在合金和单晶硅中的迁移和释放特性[J]核技术.1982,(04)
[4]赵玉华,郑胜男,许国基,徐永昌,夏日源,谭春雨,李金华,张永恩,刘清前.用~(75)As~+和~(132)Xe~+离子注入Al_2O_3薄膜的Rutherford背散射分析[J]核技术.1982,(04)
[5]夏日源,杨洪,谭春雨,李金华.化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅰ) 重离子(Z_1>10)的射程分布矩[J]物理学报.1983,(04)
[6]张永恩,夏日源,丛培杰,韩景明,张建华.用~(14)N~+注入提高钢材耐磨性的研究[J]物理.1983,(02)
[7]谭春雨,夏日源,刘清前,刘吉田,王承瑞.离子注入的氙和铯在硅和铝中的表面富集现象[J]核技术.1983,(04)
[8]李金华,张永恩,夏日源,陈鄂生.一个估算重离子在SiO_2、Al_2O_3和Si_3N_4中的R_p和ΔR_p的经验公式[J]半导体学报.1983,(05)
[9]夏日源,杨洪,胡燮荣,孙秀芳,高守文,谭春雨.Cd_xHg_(1-x)Te中离子投影射程分布矩的计算[J]红外研究.1983,(03)
[10]谭春雨;夏日源;刘清前;刘吉田;王承瑞;赵玉华;郑胜男;许国基;徐永昌;.Ar和Xe在Al(Cr)薄层中的扩散和释放[J]真空科学与技术.1983,(05)
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