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王成新
【姓名】
王成新
【职称】
【研究领域】
物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
碳掺杂,Ⅴ/Ⅲ比,MOCVD,载流子浓度,生长压力,高铝,MOCVD生长,生长温度,生长速率,掺杂源,晶体材料,变化情况,掺杂浓度,外延层,动力学理论,生长条件,实验研究,山东大学,浅受主,黄柏,
【工作单位】
山东大学
【曾工作单位】
山东大学;
【所在地域】
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共找到1篇
[1]王成新,黄柏标,徐现刚,秦晓燕,于淑琴,蒋民华.
MOCVD生长高铝值Al_xGaAs(x≥0.7)中的碳掺杂
[J]山东大学学报(自然科学版).1997,(03)
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