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[1]齐云,戴英,李安意.提高发光二极管(LED)外量子效率的途径[J]电子元件与材料.2003,(04)
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[2]于永芹,黄柏标,尉吉勇,潘教青,周海龙,岳金顺,李树强,张晓阳,秦晓燕,陈文澜,齐云,王笃祥,任忠祥.MOCVD生长InGaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As应变多量子阱(英文)[J]光电子·激光.2003,(03)
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[3]周海龙,黄柏标,潘教青,于永芹,尉吉勇,陈文澜,齐云,张晓阳,秦晓燕,任忠祥,李树强.GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响[J]量子电子学报.2003,(01)
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[4]于永芹,黄柏标,尉吉勇,潘教青,周海龙,齐云,陈文澜,秦晓燕,张晓阳,任忠祥.InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响[J]量子电子学报.2003,(03)
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[5]齐云,黄柏标,陈文澜,于永琴,周海龙.利用双基色发光二极管研究白光发光二极管[J]激光与光电子学进展.2002,(09)
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[6]陈文澜,黄柏标,齐云,于永芹,周海龙,尉吉勇,潘教青.可见光共振腔发光二极管的研究进展[J]激光与光电子学进展.2002,(11)
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[7]周海龙,黄柏标,于永芹,尉吉勇,潘教青,齐云,陈文澜,张晓阳,秦晓燕,任忠祥,李树强.异常掺杂引起的AlGaInP同型结结构[J]光电子·激光.2002,(06)
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[8]于永芹,黄柏标,周海龙,魏吉勇,潘教青,岳金顺,李树强,陈文斓,齐云,秦晓燕,张晓阳,王笃祥,任忠祥.用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管[J]光电子·激光.2002,(07)
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[9]尉吉勇,黄伯标,于永芹,周海龙,潘教青,张晓阳,秦晓燕,陈文兰,齐云.应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In_(0.5)(GaAl)_(0.5)P/GaAs大功率激光二极管(英文)[J]光电子·激光.2002,(12)
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