李大中
【姓名】 李大中
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 暗电导率,硅薄膜,辉光放电,非晶态,a-Si,数量级,板距,放电功率,气体流量,放电极,光电导率,太阳能电池,反应室,电极距离,气休,薄膜制备,衬底温度,n型,制备条件,a-Si,
【工作单位】 山东大学
【曾工作单位】 山东大学;
【所在地域】
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[1]李大中,宋学文,戴国才.辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究[J]物理.1983,(02)
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