张克宏
【姓名】 张克宏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 晶须,α－Si_3N_4,缺陷与气氛,生长气氛,氮化硅,杂质氧,Ｘ射线,氯含量,保护气氛,透射电镜,α相,β相,超细粉,原位生长,氨基化物,无定形,氮含量,氧含量,衍射图,α／β相,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】
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[1]吴华武，徐功骅，尉京志，来月英，张克宏.α－Si_3N_4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究[J]复合材料学报.1996,(02)
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