雍景荫
【姓名】 雍景荫
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 超导材料,晶须,抗氧化性,表面成分,结合能,光电子谱,成键结构,俄歇谱,形成,涂层,主要特征,光电子能谱,SiC晶须,化学形态,清华大学,晶相结构,直接影响,样品,平均自由程,离子溅射,真空科学,化学...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]孙扬名,雍景荫,叶小燕,曹立礼,何元金.高Tc超导材料Y-Ba-Cu-O体系的XPS研究[J]真空科学与技术.1989,(03)
[2]雍景荫;孙扬名;曹立礼;叶小燕;袁为军;.关于Pt-Sn/γ-Al_2O_3催化剂X光电子能谱分析方法的研究[J]分析化学.1989,(03)
[3]齐彦,吴虹,汪容军,李展平,何炜,孙扬名,雍景荫.Si(111)表面早期氧化与Si-O成键过程[J]真空科学与技术.1991,(05)
[4]张宗涛,黄勇,乐恢榕,江作昭,雍景荫,叶小燕.SiC 晶须表面成分和涂层对抗氧化性的影响[J]材料科学进展.1992,(05)
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