熊大菁
【姓名】 熊大菁
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 存贮管,浮栅,氮化,快速热氮化,电子陷阱,PMOSFET,热氮化,正电荷,擦写,FLOTOX,超薄氧化层,SiO_2膜,隧道氧化层,辐照,抗氧化,外延隔离,界面态密度,阈值电压,超薄栅介质膜,电可擦写...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]熊大菁,项雪松.关于NO氮化SiO_2超薄栅介质膜的研究[J]半导体技术.1999,(01)
[2]熊大菁.FLOTOX-E~2PROM阈值电压的研究[J]半导体技术.1997,(03)
[3]熊大菁,江思思,姜宏.RTP改善超薄SiO_2膜特性的研究[J]半导体技术.1997,(04)
[4]熊大菁,侯苇.用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究[J]半导体技术.1998,(02)
[5]熊大菁,侯苇.超薄栅介质膜生长前硅表面处理的研究[J]半导体技术.1998,(04)
[6]朱钧,靳东明,熊大菁,李志坚.FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析[J]半导体学报.1985,(05)
[7]吾立峰,熊大菁,顾祖毅,靳东明,刘理天,何小寅.氮化后退火——一种提高超薄热氮化SiO_2 膜性能的有效方法[J]半导体学报.1988,(04)
[8]王永顺,熊大菁,李志坚.快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究[J]半导体学报.1990,(08)
[9]凌浩,熊大菁.选择性外延隔离P~+多晶硅栅PMOSFET[J]半导体技术.1992,(02)
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