王美荣
【姓名】 王美荣
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 多晶硅,半导体工艺,储器,场阈值电压,存储器电路,开启电压,掺砷,穿电,场氧,氧化速率,湿氧氧化,浮栅,工艺模拟,热生长,彩斑,硅氧化,表面浓度,击穿电压,干氧氧化,杂质浓度,特殊要求,干法刻蚀,工艺...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】
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[1]吴正立，严利人，王纪民，蒋志，费圭甫，王美荣，乔忠林.超薄SiO_2层的热生长[J]微电子学.1996,(03)
[2]吴正立，严利人，王纪民，蒋志，费圭甫，王美荣，乔忠林.掺砷多晶硅的热氧化[J]微电子学.1996,(03)
[3]吴正立，严利人，王纪民，蒋志，王勇，费圭甫，王美荣，乔忠林.EEPROM工艺中场开启电压的特殊要求与对策[J]微电子学.1996,(04)
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