王健华
【姓名】 王健华
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;新闻与传媒;
【研究方向】 半导体光电子学科研与教学工作
【发表文献关键词】 增益耦合,量子阱,调制器,Modula,开关比,GaAlAs／GaAs,热蚀,光栅,光调制器,反馈式,Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,吸收型,半导体激光器,调制电压,GaAs,二次外延,InGaAs,多量子阱,...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[7]罗毅，张盛忠，司伟民，陈镝，王健华.基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺[J]半导体学报.1994,(10)
[8]罗毅,司伟民,张盛忠,陈镝,王健华.分布反馈式半导体激光器研究的历史回顾与最新进展[J]自然科学进展.1995,(03)
[9]俞谦,王健华,李德杰,王玉田,庄岩,姜炜,黄绮,周钧铭.InGaAs/InAlAs多量子阱结构的量子限制Stark效应研究[J]物理学报.1996,(02)
[10]王健华，于广瑞，金峰，李德杰.利用量子阱部分无序技术实现的激光器／调制器腔内集成[J]高技术通讯.1996,(11)
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