王纪民
【姓名】 王纪民
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 设备模型,工艺模拟,离子注入,沟道效应,CMOS器件,工艺优化,开启电压,双极型晶体管,虚拟制造,MOS器件,集成电路工艺,参数提取,虚拟制造技术,局部优化,全局优化,LDMOS,虚拟器件,VDMOS...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[2]冯曦;王纪民;刘道广;.具有漂移区场氧化层结构的射频LDMOS器件研究[J]微电子学.2006,(05)
[3]秦瑞;沈延钊;王纪民;.一种CMOS智能温度传感器前端电路的设计[J]微电子学.2007,(02)
[4]李煜,李瑞伟,王纪民.内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序[J]半导体学报.2003,(05)
[5]夏宇,王纪民,蒋志.用虚拟制造设计低压功率VDMOS[J]半导体技术.2004,(05)
[6]肖文锐,王纪民.三端自由高压LDMOS器件设计[J]微电子学.2004,(02)
[7]邓兰萍,王纪民.LDMOS低功耗自恢复电平移位电路设计[J]半导体学报.2005,(10)
[8]李煜,李瑞伟,王纪民,付玉霞.氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量[J]微电子学.2005,(01)
[9]李海,王纪民,刘志宏.优化的BSIM3V3模型参数提取策略[J]微电子学.2000,(06)
[10]李煜,李瑞伟,王纪民.集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究[J]半导体学报.2002,(03)
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