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任晓伟
【姓名】
任晓伟
【职称】
【研究领域】
物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
量子点,应变场,GaAsInGaAs,透射电子显微学,InGaAs量子点,GaAs,晶格错配,TEM研究,间隔层,间隔层厚度,InGaAs,垂直排列,面间距,{111}面,InAs,量子点结构,浸润层...
【工作单位】
清华大学
【曾工作单位】
清华大学;
【所在地域】
北京
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共找到1篇
[1]任晓伟,朱静.
GaAs/InGaAs量子点应变场的TEM研究
[J]电子显微学报.2003,(05)
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