李瑞伟
【姓名】 李瑞伟
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】 半导体器件物理及VLSI的研究
【发表文献关键词】 MOS,热载流子,铜图形化,铜淀积,设备模型,铜互连,工艺模拟,ULSI,离子注入,沟道效应,掺杂浓度,nMOSFET,寿命,LVTSCR,低压触发可控硅,铜互连技术,静电保护,深亚微米IC,集成电路...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[9]李煜,李瑞伟,王纪民.集成电路工艺模拟中的离子注入设备模型研究[J]半导体学报.2002,(03)
[10]曾莹,李瑞伟.低压触发可控硅结构在静电保护电路中的应用[J]微电子学.2002,(06)
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