赖柯吉
【姓名】 赖柯吉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 电子材料与器件
【发表文献关键词】 垂直双扩散MOS管,JFET效应,参数提取,子电路模型,VDMOS,电路模型,场效应晶体管,英文,NIST,子学,垂直双扩散,微电,直流误差,transistor,模型公式,子电路,电路模拟,直流特性...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]赖柯吉,张莉,田立林.VDMOS场效应晶体管电路模型的构造及参数提取(英文)[J]半导体学报.2002,(03)
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