金晓军
【姓名】 金晓军
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 基区,硅锗固熔体,异质结构双极晶体管,雪崩击穿,硅锗器件,超高真空（UHV）,SiGe合金,化学气相沉积（CVD）,偏置电压,基区宽度,碰撞电离,化学气相外延,双极器件,直流增益,带隙,电流电压特性,...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]金晓军,贾宏勇,张进书,钱伟,韩勇,刘荣华,林惠旺,陈培毅,钱佩信.Si_1-xGe_x/Si超高真空化学气相外延工艺的研究[J]清华大学学报(自然科学版).1999,(S1)
[2]钱伟,金晓军,张炯,林惠旺,陈培毅,钱佩信.不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究[J]半导体学报.1998,(04)
[3]钱伟,金晓军,张进书,陈培毅,林惠胜,钱佩信.SiGe HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响[J]电子学报.1998,(08)
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