韩勇
【姓名】 韩勇
【职称】
【研究领域】 物理学;汽车工业;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅锗固熔体,硅锗器件,超高真空（UHV）,化学气相沉积（CVD）,化学气相外延,外延层,超高真空,生长温度,气相,生长速度,量的关系,二极管,组份比,外延生长,分压比,装片室,结二极管,化学气相沉积,...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[3]韩勇;王跃飞;.随机Loewner演化介绍[J]中国科学:数学.2020,(06)
[4]韩勇;赵开春;尤政;.快速旋转式偏振成像探测装置的设计[J]光学精密工程.2018,(10)
[5]金晓军,贾宏勇,张进书,钱伟,韩勇,刘荣华,林惠旺,陈培毅,钱佩信.Si_1-xGe_x/Si超高真空化学气相外延工艺的研究[J]清华大学学报(自然科学版).1999,(S1)
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