范玉殿
【姓名】 范玉殿
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 辅助沉积,离子束,单晶薄膜,离子束辅助淀积,子团,氧化铝,薄膜,Al_2O_3薄膜,CdTe,铜硅化合物,IBAD,基片加热,生长温度,织构,外延膜,外延,离子轰击,离化原子,摆动曲线,轰击能量,相变...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]杨杰;王晨;陶琨;范玉殿;.用离子束辅助淀积方法合成具有化学成分比的多晶氮化铝薄膜[J]高技术通讯.1993,(02)
[2]冯嘉猷，张芳伟，范玉殿，李恒德.ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究[J]半导体学报.1994,(03)
[3]张芳伟，冯嘉猷，郑毅，范玉殿.Te原子团的形成研究[J]清华大学学报(自然科学版).1994,(03)
[4]杨杰,范玉殿,陶琨.氩离子束辅助淀积Cu/Si薄膜相变研究[J]真空科学与技术.1994,(03)
[5]何向军,陶琨,范玉殿.Al_2O_3陶瓷基片沉积钼膜的织构研究[J]真空科学与技术.1994,(06)
[6]何向军,陶琨,范玉殿.IBAD钼膜与Al_2O_3(0001)单晶界面的HREM研究[J]真空科学与技术.1995,(05)
[7]陶琨，何向军，江海，范玉殿，李恒德.IBAD薄膜与基体界面的显微结构[J]材料研究学报.1996,(02)
[8]冯嘉猷,龙春平,张芳伟,郑毅,范玉殿.CN薄膜结构特性的研究[J]物理学报.1996,(06)
[9]周志烽,范玉殿.薄膜热应力的研究[J]真空科学与技术.1996,(05)
[10]周志烽,苏清新,范玉殿.Co-Cr合金膜的X射线线形分析[J]真空科学与技术.1996,(06)
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