修显武
【姓名】 修显武
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅表面,浓度分布,恒定源,分布行为,再分布过程,扩散特性,表面耗尽,SiO_2/Si,耗尽状态,扩展电阻,磷扩散,二次氧化,分凝,微区域,基区,电学性能,综合效果,低浓度,工艺方法,氧化过程,
【工作单位】 山东大学
【曾工作单位】 山东大学;
【所在地域】 济南
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[1]裴素华,修显武,孙海波,黄萍,于连英.Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析[J]稀有金属材料与工程.2005,(04)
[2]夏广瑞;韩圣浩;赵俊卿;修显武;吕茂水;叶丽娜;解士杰;.有机层厚度对OLED性能的影响[J]太阳能学报.2005,(05)
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