戴国才
【姓名】 戴国才
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 非晶硅,短程序,电子态密度,赝隙,无规网络,原子簇模型,原子集团,弯键,掺杂机理,本征缺陷,隙态,弱键,电子结构,原子,态密度,氢化,非晶薄膜,高密勒指数,原子径向分布函数,红外光谱,悬键,态密度分布...
【工作单位】 山东大学
【曾工作单位】 山东大学;
【所在地域】 济南
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[1]戴国才,宋学文,陈友鹏.非晶态硅氟合金及掺硼效应[J]山东大学学报(自然科学版).1980,(01)
[2]陈有鹏,宋学文,马洪磊,余亦舜,戴国才.掺硼非晶态硅氟合金的电导特性[J]山东大学学报(自然科学版).1980,(04)
[3]陈有鹏,宋学文,马洪磊,余亦舜,戴国才.非晶态硅氟合金光电导特性的研究[J]山东大学学报(自然科学版).1981,(02)
[4]戴国才;宋学文;陈友鹏;马洪磊;余亦顺;郭清长;.氟系非晶态硅材料的研究[J]贵金属.1981,(04)
[5]李大中,宋学文,戴国才.辉光放电非晶态硅薄膜光、暗电导率特性的研究[J]物理.1983,(02)
[6]戴国才,余亦舜,周玉芳,张德俊,张仪凤,马洪磊,罗文秀.a-Si:H样品的光诱导光电导可逆变化和红外振动吸收[J]半导体学报.1985,(02)
[7]张道华,陆大荣,马洪磊,戴国才,朱修文,雷明.低压CVD掺硼硅材料的特性研究[J]山东大学学报(自然科学版).1985,(03)
[8]戴国才,关大任,邓从豪.晶态硅中氢化单空位的络合物模型[J]物理学报.1986,(06)
[9]罗文秀;戴国才;王小林;高勘;.a-Si∶H薄膜的毫微秒脉冲激光退火[J]山东大学学报(自然科学版).1986,(04)
[10]高光,苗庆海,戴国才.PIN结构a-Si∶H电池的光诱导弛豫现象[J]太阳能学报.1987,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]王磊;张荣新;闫立;卢菲;戴国才;.塑料基超细颗粒功能选择透过膜[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
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