完司
【姓名】 完司
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs,超晶格,量子井,RHEED,AlGaAs,强度振动,分子束外延,生长室,分子束,E法,喷射炉,AIGaAs,原子层,快门,分子束外延法,法制,PL法,量子能级,组分比,反射束,
【工作单位】 日本工业大学
【曾工作单位】 日本工业大学;
【所在地域】
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[1]饭塚,完司,铃木,敏正,王景义.用分子束外延(MBE)法制作GaAs—AlGaAs超晶格及其评价[J]微细加工技术.1987,(Z1)
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