郑心畬
【姓名】 郑心畬
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 界面态,瞬态谱,红外,DLTS,深能级,界面态电荷,禁带,电荷,表面势,能量范围,电荷输运,砷化镓材料,DLTS方法,体界面,特性测量,弛豫,半导,体系统,载流子平衡,界面态密度,电子态,研究中,平台...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]郑心畬,李志坚.Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法[J]半导体学报.1984,(05)
[2]郑心畬,李志坚.MOS界面态电荷瞬态谱方法[J]半导体学报.1985,(05)
[3]郑心畬,李志坚.零偏源MOS结构的栅电荷弛豫机制及近少子带边界面态分布的瞬态谱测定[J]半导体学报.1988,(02)
[4]董琪,郑心畬,陈培毅,费新礴.电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量[J]半导体学报.1991,(05)
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