熊小义
【姓名】 熊小义
【职称】 助理研究员;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 微波功率SiGeHBT及其工艺研究
【发表文献关键词】 微波功率放大器,异质结双极晶体管,锗硅,SiGeHBT,超高真空低压化学汽相淀积,SiGe,EFL,RIE,湿法腐蚀,发射极台面,功率管,发射极,微波功率,四探针,子学,线性拟合,叉指,多晶,微电,腐...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]张伟;王玉东;熊小义;许军;单一林;李希有;刘爱华;钱佩信;.TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用[J]半导体技术.2006,(01)
[2]李翊;张伟;许军;陈长春;单一林;熊小义;李希有;刘志弘;钱佩信;.Ti-Si_(0.84)Ge_(0.16)和Ti-Si系统的温度特性研究[J]微电子学.2006,(01)
[3]刘志农,熊小义,付玉霞,张伟,陈培毅,钱佩信.一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法[J]半导体技术.2003,(11)
[4]刘志农,熊小义,黄文韬,李高庆,张伟,许军,刘志弘,林惠旺,许平,陈培毅,钱佩信.多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)[J]半导体学报.2003,(09)
[5]熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,钱佩信.SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究[J]微纳电子技术.2003,(10)
[6]熊小义,张伟,许军,刘志宏,陈长春,黄文韬,李希有,钟涛,钱佩信.BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)[J]半导体学报.2004,(10)
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