夏宇
【姓名】 夏宇
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 VDMOS,虚拟器件,器件模拟,虚拟制造,漏区,击穿电压,外延层,压降,电阻率,开启电压,降低功耗,子学,虚拟制造技术,漂移区,电学参数,输出特性,总电流,硼注入,微电,电学特性,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]夏宇,王纪民,蒋志.用虚拟制造设计低压功率VDMOS[J]半导体技术.2004,(05)
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