熊大箐
【姓名】 熊大箐
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 NMOSFET,氮氧化硅,隧穿,界面态,栅介质,漏区,栅电流,衬底电流,薄栅,能带弯曲,掺杂分布,沟道区,栅介质层,二维器件模拟,表面电场,源电流,子学,栅漏,层厚度,漏结构,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]刘卫东,李志坚,刘理天,田立林,陈文松,熊大箐.超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究[J]半导体学报.1997,(07)
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