吴代远
【姓名】 吴代远
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 MOS器件模型参数提取
【发表文献关键词】 双极型晶体管,MOS器件,参数提取,局部优化,全局优化,模型参数,直流参数,寄生,测试曲线,基区,直接提取法,基区电阻,直流模型,正向,模拟曲线,全局优化法,发射结,寄生晶体管,子学,测试芯片,
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]吴代远,王纪民.MOS器件中寄生双极型晶体管模型参数的提取[J]微电子学.2002,(05)
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