王均平
【姓名】 王均平
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;核科学技术;
【研究方向】 电力半导体器件研究
【发表文献关键词】 电力半导体器件,快中子辐照,大电流密度,中子辐照,二极管,缓冲层,硅半导体/深能级,二极管/快速,热中子,比浓度,低电压,软恢复,少子寿命,基区宽度,辐照场,深能级,安全性,中子辐照硅,p区,放射性,...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]张海涛,张斌,王均平.采用缓冲层结构的软恢复二极管研究[J]电力电子技术.2003,(02)
[2]张斌,温婷婷,王均平.反应堆快中子辐照硅的深能级及退火分析[J]电力电子技术.2003,(03)
[3]张斌,张海涛,王均平.超大电流密度低压二极管研究[J]半导体技术.2002,(10)
[4]张斌,王均平.电力半导体器件快中子辐照的安全评价[J]电力电子技术.2002,(03)
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[1]刘道广;王均平;黄新;陈思敏;周伟松;张斌;王培清;.150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究[A].2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集.2008-11-01
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