史进
【姓名】 史进
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 SiGe器件
【发表文献关键词】 应变,跨导,SiGe,调制掺杂层,迁移率,SiGe器件,调制掺杂,MOSFET,沟道,PMOSFET,NMOS,异质结,开启特性,载流,晶体管,垂直电场,英文,Ge材料,MOS管,栅压,PMOS,子学...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]黄文韬,罗广礼,史进,邓宁,陈培毅,钱佩信.HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs[J]Tsinghua Science and Technology.2003,(02)
[2]史进,黄文涛,陈培毅.应变Si沟道异质结NMOS晶体管(英文)[J]半导体学报.2002,(07)
[3]史进,黎晨,陈培毅,罗广礼.调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用[J]微电子学.2002,(04)
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[1]史进.SOI/SiGe MOS器件研究和制备[D].清华大学.2001
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