|
[1]张伟;王玉东;熊小义;许军;单一林;李希有;刘爱华;钱佩信;.TiSi_2在微波低噪声SiGe HBT中的应用[J]半导体技术.2006,(01)
|
|
[2]岳磊;陈长春;许军;刘志弘;钱佩信;.UHV/CVD生长本征硅外延层的研究[J]微电子学.2006,(02)
|
|
[3]刘志农,熊小义,付玉霞,张伟,陈培毅,钱佩信.一种测量外延层厚度及掺杂浓度的改进方法[J]半导体技术.2003,(11)
|
|
[4]夏克军,李树荣,王纯,郭维廉,郑云光,陈培毅,钱佩信.SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究[J]半导体学报.2003,(03)
|
|
[5]刘志农,熊小义,黄文韬,李高庆,张伟,许军,刘志弘,林惠旺,许平,陈培毅,钱佩信.多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)[J]半导体学报.2003,(09)
|
|
[6]熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,钱佩信.SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究[J]微纳电子技术.2003,(10)
|
|
[7]黄文韬,罗广礼,史进,邓宁,陈培毅,钱佩信.HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs[J]Tsinghua Science and Technology.2003,(02)
|
|
[8]刘志农;钱佩信;.SiGe技术研发现状与发展趋势(上)[J]中国集成电路.2003,(09)
|
|
[9]刘志农;钱佩信;.SiGe技术的应用与市场调查[J]中国集成电路.2003,(07)
|
|
[10]黄文韬,邓宁,陈培毅,罗广礼,钱佩信.UHV/CVD自对准生长Ge量子点(英文)[J]微纳电子技术.2004,(02)
|
|
更多
|