孟祥提
【姓名】 孟祥提
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;自动化技术;
【研究方向】 核材料、半导体材料和器件等的辐照效应研究
【发表文献关键词】 探测器级,积分通量,氢气氛,电阻率,中子辐照,辐照,断面电阻率,辐照技术,射线辐照,区熔硅,空位型缺陷,双空位,吸收带,硅锭,正电子湮没,硅单晶,点缺陷,正电子淹没,火行为,直拉单晶硅,单晶,N型,单...
【工作单位】 清华大学
【曾工作单位】 清华大学;
【所在地域】 北京
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[1]史新立;胡堃;孟祥提;.关节软骨修复与相关细胞因子的作用[J]中国组织工程研究与临床康复.2011,(11)
[2]孟祥提;黄强;马艳秀;郑永男;范平;朱升云;.A study of radiation effects of 9 and 12 MeV protons on Chinese CMOS image sensor degradation[J]中国物理C.2008,(06)
[3]孟祥提,康爱国,黄强.γ射线辐照对数字型彩色CMOS图像传感器输出特性的影响[J]原子能科学技术.2004,(S1)
[4]黄文韬,王吉林,刘志农,陈长春,陈培毅,钱佩信,孟祥提.电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析[J]核技术.2005,(03)
[5]孟祥提.中子和电子辐照Si中的氧相关缺陷研究进展[J]人工晶体学报.2000,(S1)
[6]康爱国,孟祥提,王吉林,贾宏勇,陈培毅,钱佩信.SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较[J]半导体技术.2002,(12)
[7]孟祥提.中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响[J]核技术.1994,(02)
[8]孟祥提.氩气氛NTDFZ－Si中的空位型缺陷[J]稀有金属.1994,(05)
[9]孟祥提.Identification of Defects in Neutron-transmutation-doped Si by Positrons[J]Science in China,Ser.A.1994,(10)
[10]左开芬,张纯,孟祥提,苏庆善,陆余发.中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征[J]稀有金属.1996,(05)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]孟祥提;康爱国;黄强;.γ射线辐照对数字型彩色CMOS图像传感器输出特性的影响[A].第三届北京核学会核应用技术学术交流会论文集.2004-06-30
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承担国家科研项目    共找到2个
[1]孟祥提;.CMOS图像传感器的电子和质子辐照损伤机理研究[A].清华大学;.项目经费 33万元.2003-03-31.资助文献数 4 篇
[2]孟祥提;.中子和r射线幅照SiGe HBT中的深中心及其对电学性能影响[A].清华大学;.项目经费 21万元.2000-03-31.资助文献数 11 篇
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