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[2]黄文韬,邓宁,陈培毅,罗广礼,钱佩信.UHV/CVD自对准生长Ge量子点(英文)[J]微纳电子技术.2004,(02)
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[3]罗广礼,林小峰,刘志农,陈培毅,林惠旺,钱佩信,刘安生.弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长[J]半导体学报.2000,(07)
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[4]罗广礼,陈培毅,林惠旺,刘志农,钱佩信.一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统[J]真空科学与技术.2000,(05)
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[5]刘志农,贾宏勇,罗广礼,陈培毅,林惠旺,钱佩信.HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延[J]半导体学报.2001,(03)
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[6]黎晨,朱培喻,罗广礼,陈培毅,钱佩信.一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET[J]半导体学报.2001,(07)
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[7]朱培喻,陈培毅,黎晨,罗广礼,贾宏勇,刘志农,钱佩信.UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析[J]光谱学与光谱分析.2001,(04)
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[8]邓宁,黄文韬,王燕,罗广礼,陈培毅,李志坚.硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响[J]微纳电子技术.2002,(06)
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[9]史进,黎晨,陈培毅,罗广礼.调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用[J]微电子学.2002,(04)
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